第三届地下和空间粒子物理与宇宙物理前沿问题研讨会

国产高纯锗晶体生长及探头制备进展

9 May 2024, 15:00

20m

二楼第三会议厅

01 - 分会报告 09 - 探测器物理与技术 09 - 探测器物理与技术

Speaker

Mr 伟 张 (安徽光智科技有限公司)

Description

本文介绍国产高纯锗晶体生长及探头制备进展。经过区熔提出、单晶提拉等工序，获得13N高纯锗晶体，最大合格尺寸达到φ80×70mm。高纯锗探头制备包含13N高纯P型晶体电极制备工艺，制冷封装设计及组装工艺。制备的高纯锗探头探测效率40%，能量分辨率达到0.4%，漏电流达到200pA。